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厂商型号

MPS6515_D75Z 

产品描述

Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R

内部编号

3-MPS6515-D75Z

#1

期货
1 ¥0.515

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MPS6515_D75Z产品详细规格

规格书 MPS6515_D75Z datasheet 规格书
MPS6515_D75Z datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 250 @ 2mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Box (TB)
包装 3TO-92
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 25 V
集电极最大直流电流 0.2 A
最小直流电流增益 250@2mA@10V|150@100mA@10V
最大集电极发射极饱和电压 0.5@5mA@50mA V
最大集电极基极电压 40 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625 mW
安装 Through Hole
标准包装 Ammo Pack
集电极最大直流电流 0.2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 4
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 25
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 250 @ 2mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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